热烈祝贺第三代半导体技术及应用产业发展研讨会圆满召开

公司新闻 · 2019-06-04 22:53:59

2019年6月4日,第三代半导体技术及其应用产业发展研讨会在美丽的梁子湖畔隆重召开。国内外众多科学和应用研究的前沿探索者们齐聚研讨行业发展。


第三代半导体材料具有的高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点使其在短波发光、激光、探测等光电子器件和高温、高压、高频大功率电子电力器件领域拥有广阔应用前景。如节能电力电子领域的半导体照明、智能电网、高速列车;信息工程领域的有可见光通讯、海量光存储、高速计算;国防建设领域的紫外探测器、微波器件;民用商业应用领域的无线基础设施(基站)、卫星通信、有线电视和功率电子;此外还有新能源汽车、消费类电子等领域。第三代半导体材料,正在引领新一代电子信息技术的产业革命。

第三代半导体材料应用前景广阔、市场需求和经济效益巨大,因此继半导体照明之后,美国将基于第三代半导体材料的电子电力器件提升到国家战略布局的高度,以确保美国在这一领域的优势地位。而最近,美国也已将其明确列入出口管制清单,凸显第三代半导体材料的战略地位。在国内,受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等因素,第三代半导体产业正稳步发展。


为加深第三代半导体技术研究及应用产业发展交流,华中科技大学鄂州工业技术研究院与鄂州市市政府共同举办了本次研讨会。


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第三代半导体技术及其应用产业发展研讨会会议现场


出席本次会议的嘉宾有鄂州市副市长岳劲,以及中组部国家“千人计划特聘专家”潘君友、南京大学陆海教授、沙特国王科技大学李晓航教授等来自各高校、科研院所、企业的专家学者。嘉宾们围绕紫外LED材料、器件及其应用系统,讨论了如何实现全产业链技术协同创新和产业集群式、高质量发展,并就第三代半导体电力电子、紫外探测器、紫外LED杀菌与光疗技术展开了深入探讨,为国内紫外LED技术研究及产业发展提供了宝贵的建议。


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专家学者做专题报告


深紫科技作为华中科技大学鄂州工业技术研究院深紫外光电器件研发平台的在孵企业,在高温MOCVD设备、材料生长、芯片制备、器件封装等方面拥有多项核心知识产权,自主研发的高效率深紫外LED芯片器件及其相关应用产品系统居世界领先地位。公司的研究及产业化成果得到了鄂州市政府及各研究机构的高度评价。


本次会议,公司董事长、首席科学家陈长清博士作了题为《第三代半导体紫外LED芯片及产业发展》的专题报告,表达了为国家高科技芯片技术发展贡献力量的期望:在鄂州市政府及各界同仁的大力支持与协作下,公司决心做大做强深紫外半导体产业,愿为国家第三代半导体产业发展贡献微薄之力。同时,希望通过此次会议,公司和各研究机构及产业界建立良好的合作关系,共同推进行业发展。


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《第三代半导体紫外LED芯片及产业发展》专题报告