芯片长度 | 芯片宽度 | GAP宽度 | 芯片厚度 | 芯片结构 | 电极 | 510±30 μm | 310±30 μm | 150±5 μm | 340±30 μm | 倒装结构 | AuSn电极 |
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Item | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit |
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峰值波长 | λp | 260 | / | 285 | nm |
光功率 | P0 | 1 | / | 8 | mW |
工作电压 | Vf | 5.0 | / | 7.5 | V |
驱动电流 | If | / | 40 | / | mA |
最大工作电流 | Ifmax | / | / | 120 | mA |
最大反向偏压 | Ifmax | / | / | 0 | mA |
波峰半高宽 | Δλ | / | 11 | / | nm |
档位 | W01 | W02 | W03 |
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波长 (nm) | 260~270 | 270~280 | 280~285 |
档位 | P01 | P03 |
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光功率 (mW) | 1~3 | 3~6 |
档位 | V51 | V52 | V1B | V1C | V1D |
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电压 (V) | 5.0~5.5 | 5.5~6.0 | 6.0~6.1 | 6.1~6.2 | 6.2~6.3 |
档位 | V1E | V1F | V1G | V1H | V1I |
电压 (V) | 6.3~6.4 | 6.4~6.5 | 6.5~6.6 | 6.6~6.7 | 6.7~6.8 |
档位 | V1J | V1K | V55 | ||
电压 (V) | 6.8~6.9 | 6.9~7.0 | 7.0~7.5 |
Item | Symbol | Unit | Value |
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使用温度 | TOPR | ℃ | -30 ~ +65 |
存储温度 | TSTG | ℃ | -40 ~ +85 |
标签 | 释义 |
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TYPE | 品种名 |
SPEC | 规格号,见各项分档参数组合 |
BIN No | BIN号 |
QTY | 数量 |
Date | 日期 |
测试项目 | 实验条件 | 标准 | 失效比例 |
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常规驱动 | T=25℃,标定电流,持续点亮1000小时 | 死灯 | 0/35 |
冷热冲击 | -40-120℃冷热冲击500次循环,15min/cycle | 死灯 | 0/35 |