单个器件内含 8 颗 UVC 芯片 和 2 个齐纳二极管。其中齐纳二极管对 UVC 起 ESD 防护作用;
正负极标示如上图所示,正面缺口为负极,背面缺角为负极,编带产品圆孔端为负极;
Item | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Bin | Unit |
---|---|---|---|---|---|---|
峰值波长 | λp | 260 | / | 280 | 如分档 | nm |
光功率 | P0 | 150 | / | 250 | / | mW |
工作电压 | Vf | 10 | / | 14 | 1 | V |
驱动电流 | If | / | 400 | / | / | mA |
出光角 | 2θ1/2 | / | 120 | / | / | deg. |
波峰半高宽 | Δλ | 7 | / | 13 | / | nm |
热阻 | RΘj-b | / | 20 | / | / | ℃/W |
档位 | W01 | W02 |
---|---|---|
波长 (nm) | 270~280 | 270~280 |
档位 | P257 | P258 | P259 | P250 |
---|---|---|---|---|
光功率 (mW) | 150~175 | 175~200 | 200~225 | 225~250 |
档位 | VG1 | VG2 | VG3 | VG4 |
---|---|---|---|---|
电压 (V) | 10~11 | 11~12 | 12~13 | 13~14 |
参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
---|---|---|---|
功耗 | Pd | 8400 | mW |
正向电流 | If | 600 | mA |
正向电压 | Vf | 10~14 | V |
使用温度 | TOPR | -30~60 | ℃ |
存储温度 | TSTG | -40~100 | ℃ |
结温 | Tj | 80 | ℃ |
静电(人体模式) | ESD | 2000 | V |
载带 | |
卷盘 | |
铝箔袋包装 |
标签 | 释义 |
---|---|
TYPE | |
SPEC | WXXPXXVXXA1,具体含义请参照SPEC范围 |
LOTS | 批次号 |
QTY | 数量 |
Date | 日期 |
测试项目 | 实验条件 | 标准 | 失效比例 |
---|---|---|---|
常温老化 | T=25℃,标定电流,持续点亮1000小时 | ΔPo≤15%,ΔVF≤20% | 0/10 |
冷热冲击 | -40~+100℃冷热冲击300次循环,30min/cycle | ΔPo≤15%,ΔVF≤20% | 0/10 |
抗静电 | R=1.5kΩ, C=100pF,Voltage level=2kV | ΔPo≤15%,ΔVF≤20% | 0/10 |