在 "双碳" 战略与全球公共卫生升级的时代背景下,武汉优炜芯科技有限公司(UVLEDTEK)以深紫外 LED 领域的全产业链技术突破,成为全球半导体行业革新的核心参与者。作为国家级专精特新 "小巨人" 企业,公司以 "光基因" 技术重构人与环境的健康链接,构建从芯片设计、封装测试到场景解决方案的垂直产业闭环,推动紫外 LED 技术从实验室走向规模化商用的关键跨越。
近日,在2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上,优炜芯科技展示了紫外LED技术的最新研发成果及其在战略性新兴产业中的实践案例,引发行业高度关注。
技术突破
全产业链创新驱动效能跃升
深紫外LED的核心技术瓶颈在于电光转换效率(Wall-Plug Efficiency, WPE)行业长期低于7%,其根源在于传统蓝宝石衬底与氮化铝(AlN)薄膜的晶格失配,导致异质外延生长时产生高密度位错,降低内量子效率(IQE)。此外,AlN薄膜厚度超过3.5微米时,应力集中引发的贯穿性裂纹显著降低芯片良率。
关键技术突破
二
产业生态构建
从“技术跟跑”到“行业领跑”的跃迁
优炜芯科技通过全产业链垂直整合,打破国际技术垄断,实现深紫外LED芯片的规模化量产。其自主研发的DUV-LED芯片WPE已突破10%(国际竞品平均为7%),寿命(L70)突破15000小时,显著优于行业标准。
面对国际巨头的技术壁垒,优炜芯科技构建 "自主研发+产业协同" 的双轮驱动模式:
01、全链条产能布局
在武汉、鄂州、苏州、泉州等地建立四大研发生产基地,自主搭建 MOCVD 外延炉、芯片光刻 / 刻蚀设备、自动化封装产线等核心装备,形成从外延生长到模组集成的全流程可控能力。
02、技术壁垒构建
累计申请专利 325 项(发明专利168项),突破车规级可靠性认证(IATF 16949)、医疗级卫生许可、ISO9001质量管理等资质体系,构建覆盖技术、工艺、品控的立体化护城河。
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