第三届国际紫外材料与器件会议在昆明召开，深紫科技首席科学家作邀请报告

2018年12月9日至12日，The International Workshop on UV Materials and Devices（第三届国际紫外材料与器件会议，IWUMD-2018）在昆明举办，吸引了来自法国、美国、日本、德国、韩国等世界各国千名研究人员参会。公司董事长兼首席科学家陈长清博士受邀担任大会组织委员会委员，并作专题报告。作为深紫外LED行业少数拥有核心外延、芯片、封装全产业链技术的公司，湖北深紫科技有限公司（DUVTek）致力于用领先的深紫外LED技术从“芯”定义健康生活，并在大会上进行了创新技术分享，与同在紫外材料与器件领域开展前沿研究的学者们进行了探讨交流。

本次IWUMD-2018会议，陈长清博士报告题为 “High Performance Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Based on Thick AlN Epilayer and Moth-eye Microstructure”。介绍了公司最新研究进展，包括平面蓝宝石衬底（FSS）上AlN材料外延生长、纳米图形化蓝宝石衬底（NPSS）上AlN材料外延生长、蛾眼微结构提高深紫外LED的光提取效率等，各项研究成果及各参数性能均达到国际先进水平，报告结果受到了世界各国研究人员的好评和肯定。会议过程中，陈长清博士与来自北京大学、厦门大学、中国科学院半导体研究所、台湾国立交通大学、日本东京大学、韩国首尔大学、英国谢菲尔德大学、美国北卡罗莱纳大学等国内外高校和科研院所的青年科研工作者进行了亲切友好的学术交流，广泛交换研究进展，促进深紫外LED行业发展。