湖北深紫科技有限公司开放多年AlN外延技术积累成果,推出基于Sapphire或SiC的高质量AlN/AlGaN单层及多层全结构外延片,旨在助力深紫外相关科研及产业化。
基于平面蓝宝石(FSS)、纳米图形化蓝宝石(NPSS)或SiC…
在不同衬底上,生长厚度50~5000nm的高质量的AlN或AlGaN单层/多层结构
尤其擅长AlN或高Al组分AlGaN基模板或全结构外延定制,最佳Al组分≥0.4
可定制生长紫外探测器、LED、HEMT等AlGaN基器件全结构半导体材料
长期开展AlN/AlGaN基光电器件研发,拥有一支高素质外延团队,材料定制化生长经验丰富
得益于长达十年的高温MOCVD外延生长经验,尤其擅长AlN及Al组分高于0.4的AlGaN的外延生长及n型掺杂
2英寸,XRC (002/102) ≤ 80/400 arcsec,厚度均匀性(5%),AFM RMS(<1nm),厚度1~3um可调
基于高质量AlN模板的原位生长AlxGa1-xN模板,Al组分0.4~1可调,n型掺杂激活浓度≥3e18 cm-3
产品型号 | 产品类别 | 产品图片 | 晶体质量 (002) | 晶体质量 (102) | 外延层厚度 | 表面粗糙度 | 边缘扣除 | 规格书 |
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WAlN-SA400 | Sapphire/AlN外延片/模板 | ![]() |
≤ 80 arcsec | ≤ 400 arcsec | 2~3 μm | ≤ 1 nm | ≤ 3 mm |
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WAlN-NS400 | NPSS/AlN外延片/模板 | ![]() |
≤ 200 arcsec | ≤ 200 arcsec | ≥ 5 μm | ≤ 1 nm | ≤ 3 mm |
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WAlN-SC001 | SiC/AlN外延片/模板 | ![]() |
50~5000 nm |
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WAGN-AN001 | AlGaN外延片/模板 | ![]() |
≤ 300 arcsec | ≤ 500 arcsec | 1~2 μm | ≤ 2 nm | ≤ 3 mm |
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基于高质量的AlN和AlGaN材料生长技术,深紫科技科提供定制化的紫外探测器、LED及HEMT外延生长服务
专业的PIN、APD、量子阱等结构的AlGaN基紫外探测器全结构研发、批量生产。多年的紫外探测器定制化服务经验,服务国内外多家著名研究单位、企业,标准交期一个月,提供批量的芯片代工服务
面向科研用途的UVC-LED上游外延片资源,支持科研单位将商用的UVC-LED外延片用于Nano/Micro-LED的前沿探索研究。2英寸,波长270~280 nm,3030芯片120 mA下8~12 mW,扎测电压10V
高度定制化的HEMT外延研发、中试服务商,根据客户结构定制生长。典型方阻275 Ω/□,二维电子气1.2e13 cm-3,迁移率1900 cm2/Vs
我司外延团队生长的全结构材料在制作成器件后,已经进入民用生活、工业应用、空间探测方方面面