2019年3月26日、厦門大学の蔡端俊教授一行は湖北深紫科技有限公司を訪問して交流を見学しました。会社の指導者の熱心な接待とお供のもと、蔡教授の一行は相次いで我が社の半導体の超浄工場と関連するチップのカプセル化生産ラインを見学しました。見学の過程で、弊社の製品の研究開発の進捗及び深い紫外殺菌消毒市場の見通しを深く了解しました。蔡教授の一行は会社の現在の産業化プロセスに対して十分な肯定を与え、未来は深紫外線LED科学研究と下流応用市場開発などの面での緊密な協力とウィンウィンを期待しています。
蔡端俊教授の一行は我が社のリーダーと一緒に写真を撮って未練を残しています。
技術交流会では、双方は深い紫外線UVB/UV-LED技術、製品、応用と市場などの各方面について積極的に検討し、双方の優位性を結びつける協力の意向を達成しました。深い紫外線技術に伴って民間、工業、軍用などの分野に浸透していくと信じています。双方のパートナーシップはさらに昇華し、協力とウィンウィンを実現します。
会社の関係者と蔡教授の一行は深い紫外線LEDに関する技術と応用について深く交流しています。
蔡端俊教授は厦門大学物理学部教授として米国デューク大学化学系高級訪問学者を兼任しています。台湾大学電機学部、光電情報工学研究所、客員助教授を務めています。台湾国科会の「ナノスケール半導体材料及びコンポーネントの物性」の重要な研究計画のサブテーマを担当していました。ポルトガル-フランス連合国家科学技術基金「Study of Bioluminescence Processis」プロジェクトなど。現在は米国物理学会、米国生物物理学会会員。Apple.Phis.Lett.J.Phis.Chem.J.Apple.Phis.Opti.Comp.など多くの雑誌の専門家を務めている。研究の分野は主に以下を含む。
(1)三次元半導体(GaN/ZnOナノピラーアレイ)材料合成とその新しいデバイスの研究
(2)超微細金属ナノワイヤ材料(Cuナノワイヤネットワーク、合金ナノワイヤ)及び透明電極応用の研究
(3)二次元半導体薄層材料(BN)合成及びその光電子デバイスの研究開発
(4)深紫外(DUV)窒化物半導体LED構造装置及び応用の研究開発
(5)先進的なナノメートルのミクロキャラクタリゼーション技術の研究開発
(6)生体タンパク質分子蛍光材料の研究
(7)微細構造材料の第一原理シミュレーション計算
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