芯片长度 | 芯片宽度 | GAP宽度 | 芯片厚度 | 芯片结构 | 电极 | 1158±30 μm | 1158±30 μm | 150±5 μm | 400±30 μm | 倒装 | AuSn |
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Item | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit |
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峰值波长 | λp | 260 | / | 285 | nm |
光功率 | P0 | 30 | / | 80 | mW |
工作电压 | Vf | 5.0 | / | 7.0 | V |
驱动电流 | If | / | 350 | / | mA |
最大工作电流 | Ifmax | / | / | 500 | mA |
最大反向偏压 | Ifmax | / | / | 8 | mA |
波峰半高宽 | Δλ | / | 11 | / | nm |
档位 | W01 | W02 | W13 |
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波长 (nm) | 260~270 | 270~280 | 280~285 |
档位 | P104 | P105 | P106 | P107 | P108 |
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光功率 (mW) | 30~40 | 40~50 | 50~60 | 60~70 | 70~80 |
档位 | V51 | V14 | V15 | V16 | V17 |
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电压 (V) | 5.0~5.3 | 5.3~5.4 | 5.4~5.5 | 5.5~5.6 | 5.6~5.7 |
档位 | V18 | V19 | V1A | V53 | V54 |
电压 (V) | 5.7~5.8 | 5.8~5.9 | 5.9~6.0 | 6.0~6.5 | 6.5~6.8 |
Item | Symbol | Unit | Value |
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使用温度 | TOPR | ℃ | -30 ~ +65 |
存储温度 | TSTG | ℃ | -40 ~ +85 |
标签 | 释义 |
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TYPE | 品种名 |
SPEC | 规格号,见各项分档参数组合 |
BIN No | BIN号 |
QTY | 数量 |
Date | 日期 |
测试项目 | 实验条件 | 标准 | 失效比例 |
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常规驱动 | T=25℃,标定电流,持续点亮1000小时 | 死灯 | 0/35 |
冷热冲击 | -40-120℃冷热冲击500次循环,15min/cycle | 死灯 | 0/35 |