深紫科技半导体超净厂房投入使用

2018年2月8日，华中科技大学鄂州工业技术研究院深紫外光电器件平台暨深紫科技启动仪式在东湖高新科技创意城圆满举行。鄂州市人大常委会副主任袁谟浩、鄂州市人大常委招商办主任宋华，华中科技大学鄂州工业技术研究院院长刘谦、副院长郑刚，梧桐湖新区管委会领导汪主任、何主任，国家千人计划入选者卢昆忠博士，国家青年千人计划入选者吴燕庆博士，武汉优炜星科技有限公司副总裁王永忠、副总裁秦瑞军，武汉承胜创业投资有限公司（丝宝创投）总经理李轩，深紫科技有限公司副总经理田洪涛博士，华中科技大学鄂州工业技术研究院项目部部长于丹丹等人受邀出席了本次启动仪式。同时出席的还有华中科技大学教授、深紫外光电器件平台项目负责人陈长清博士及其研究团队。本次启动仪式由华中科技大学鄂州工业技术研究院深紫外光电器件平台戴江南博士主持。

半导体深紫外光电器件研究中心是华中科技大学鄂州工研院设立的深紫外光电器件研发平台，首期占地1000平米，首期拥有500平米的半导体超净间。平台拥有高Al组分AlGaN材料专用高温MOCVD、材料表征设备及多位具有深紫外研发经验的博士、工程师团队，面向国民经济领域的重大战略需求，专注于高性能AlGaN基深紫外LED及日盲紫外探测器研发。在各级领导的关怀下，平台经过近一年的规划论证及施工建设，终于在狗年春节来临之际圆满竣工，为接下来的深紫外器件研发奠定了坚实基础。此次启动仪式也是深紫科技有限公司全面开展深紫外LED产业化的重要信号。

上午10点58分，启动仪式如期举行，戴江南博士就深紫外光电器件市场趋势、关键科学技术问题、项目研究基础和未来的规划等向出席本次仪式的领导、嘉宾做了详细的汇报，并向大家展示了团队前期已取得的研究成果。世界领先的高质量的AlN/AlGaN材料生长技术是团队技术的核心，也是制备高性能深紫外光电器件的基石。仪式进行中，袁谟浩主任一行还参观了平台超净间，高度评价了团队已取得的成绩与进步，就公司的成果转化、知识产权保护提出了建设性的指导和建议，并对深紫科技在深紫外LED研发、技术创新、人才引进及品牌建设方面给予了充分的肯定，对公司未来的发展提出了殷切期望。

半导体深紫外光电器件研究中心、深紫科技有限公司在深紫外LED、日盲紫外探测器领域拥有核心专利技术，具备过硬的技术实力，在技术研发、人才引进、平台建设等方面都取得了不错的开端，定要引领国内外深紫外技术潮流，成为深紫外LED产业的中流砥柱。