诺贝尔奖获得者中村修二应邀参观深紫科技

随着深紫外LED杀菌市场的逐步打开，深紫外LED在全球也得到越来越广泛的关注。

2016年8月16日，2014年诺贝尔物理学奖获得者、美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院教授中村修二（Shuji Nakamura）教授在深紫科技有限公司董事长陈长清博士、武汉光电工业技术研究院副总经理张杰及武汉未来科技城建设管理办公室曹博士等陪同下，莅临我司参观交流。中村修二教授作为半导体LED最权威的专家，此行在我司针对半导体深紫外LED进行经验交流并提供指导。此次交流学习过程中主要围绕深紫外LED难点、特性、应用领域、深紫外LED发展现状进行了深入交流，为我司深紫外LED前沿技术研究以及市场应用提供了思路和方向。

在参观、交流的过程中，我司总裁戴江南博士对深紫外外延片生长、芯片、模组封装、光源系统作了全面介绍，并对深紫外LED的应用、市场规模和市场核心技术作了详细描述。中村修二教授非常认可我司的深紫外LED研究方向，并提出了一定的意见和建议，同时非常看好未来深紫外LED的行业应用。

陈长清博士（深紫科技有限公司董事长、首席科学家）与中村修二教授就深紫外外延片生长进行交流。

公司总裁戴江南博士向中村修二教授介绍我司深紫外LED光源

附：中村修二简介

中村修二，电子工程学家，1954年5月22日出生于日本。

1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在蓝光LED方面的杰出成就，中村教授获得包括仁科纪念奖、英国顶级科学奖等一系列荣誉。2000年，中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。2014年中村教授和赤崎勇、天野浩因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。