热烈欢迎阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授到访我司

2018年6月21日，阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授受邀到访我司，进行第三代半导体学术交流指导，并作了“宽禁带半导体材料、物理、器件、设备”相关报告。

李晓航教授在公司领导的陪同下先后参观了公司展厅、超净间平台等各个研发生产办公区。公司良好的工作环境、有序的生产流程、严格的质量控制、和谐的工作氛围给李晓航教授留下了深刻得印象。期待双方加强互动，在未来拟合作项目中实现深度合作、互补双赢、共同发展！

参观结束后，李晓航教授分享了深紫外激光、新型B-III-N材料、极化场工具箱三个方面的内容。李晓航教授采用TMA的预处理技术控制AlN极性，实现低位错密度、高生长速率，高生长效率的AlN template生长，并制备了低阈值的光泵浦深紫外激光器。成功制备了含B 14%的BAlN合金，与AlN，GaN，SiC和Ga2O3晶格匹配更好。通过极化场工具箱计算寻找在C面衬底上长的异质结无极化作用的临界点，来减弱器件中量子限制斯塔克效应，并给大家展示了BAlN材料在深紫外LED以及电子器件HEMT的应用以及作用。

李晓航教授正在进行学术分享

李晓航博士是阿卜杜拉国王科技大学 (KAUST)先进半导体实验室的PI兼博士生导师，是该校2017-2018年被提名为杰出教学奖的教授之一，在美国佐治亚理工学院获得电子工程博士学位，是半导体深紫外激光研究的先驱者之一。李晓航博士多次承担美国能源部、美国国防高级研究计划局、美国自然科学基金、中国自然科学基金和海湾阿拉伯国家合作委员会等研究项目。在全球首次实现在蓝宝石上波长短于260纳米激光和低阈值深紫外激光，首次实现在同一衬底上TE和TM半导体激光，首次实现半导体深紫外表面受激辐射。在B-III-N等新型第三代半导体研究做出了世界领先和开创性的成果，在第三代半导体高水平杂志和会议上发表了120余篇论文，被引用1200余次（h指数16），在国际会议大学研究所和公司做受邀报告30余次。曾荣获SPIE协会年度最高奖、IEEE Photonics Society协会博士生年度最高奖、佐治亚理工学院研究生最高奖等诸多荣誉。

李晓航教授（左四）与我司相关员工，华中科技大学研究人员合影