深い紫外UV UV-LEDの典型的なパッケージ構造では、UVCチップは錫ペースト半田または共晶半田でセラミックステーに溶接することができる。これらの二つのカプセル化プロセスの溶接温度の違いは，後続のビーズSMTが許容できる最大のリフロー温度に大きな差を生じさせた。同時に、いくつかの特殊な接着剤のプロセスも高温度のリフロー過程において、チップが溶接盤から離れて、ダミー半田を形成し、最終的に遮断ランプを形成しやすいです。したがって、我が社のビーズSMTプロセスは、高い確率での消灯を避けるために、推奨されたリフロー曲線を厳格に実行しなければならない。

1、錫ペースト溶接と共晶溶接パッケージランプビーズの還流温度耐性

1.1、錫ペースト溶接：錫ペーストを点けるようにダイパッドとステーを溶接します。従来の銀ペースト固形熱抵抗に比べて熱伝導性能が大幅に向上し、チップから発生した熱が急速に放出されると同時に、その機械的性質が著しく強化され、ビーズの信頼性が向上します。

1.2、共晶溶接：二つの異なる金属はそれぞれの融点温度よりもはるかに低い温度で一定の重量の割合で合金を形成することができる。共晶溶接は熱伝導率が高く、抵抗が小さく、熱伝達が速く、信頼性が強く、接着後のせん断力が大きいという利点があり、溶接顔の穴率は比較的低いが、設備コストが高い。

現在、弊社の固形結晶に使われている錫ペースト融点は217℃で、共晶溶接で最もよく使われている共晶半田は金錫合金で、その共晶温度は278℃で、共晶工程よりも錫ペースト溶接穴率が比較的高いです。

2、シリカゲルパッケージ/レンズパッケージ紹介

2.1、以上は弊社の主な供給のビーズです。二つのパッケージプロセスがあります。一つはシリカゲル充填（PSMビーズ）、一つはレンズパッケージ（QSCシリーズのビーズ）です。PSMビーズは固形完成後直接耐紫外シリカゲルを充填してカプセル化したが、レンズパッケージ内部にはコロイド充填がなく、UVゴムによってレンズをブラケットステップに直接固定してカプセル化した。

2.2、PSMランプビーズはシリカゲル充填プロセスの原因で、熱を受けるとコロイドが熱障害により内部応力が増加することが避けられないため、チップとブラケットの界面にかける応力が大きくなり、深刻な時にチップとブラケットの剥離による開路死灯が発生するため、QSCシリーズのビーズに比べて、PSMビーズは過電流溶接時に開路死灯現象が発生しやすい。

3、必ず守る還流温度曲線

シリカゲルUV-LEDビーズ充填

シリカゲルUV-LEDビーズ充填パッチは低温の錫ペーストを使ってリフロー溶接を行うべきで、温度は155℃を超えてはいけません。ピーク時間は20秒で、リフロー時間は5分を超えてはいけません。錫ビスマス錫ペーストの使用を勧めます。

水晶レンズ実装UVC-LEDビーズ

水晶レンズ実装UVC-LEDビーズパッチは低温錫ペーストを使ってリフロー溶接を行うべきで、温度は170℃を超えてはいけません。ピーク時間は20秒で、リフロー時間は5分を超えてはいけません。錫ビスマス錫ペーストの使用を勧めます。