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高品質AlN、AlGaN単層/全構造エピシート

湖北深紫科技有限公司は長年にわたってAlNエピ技術を開放して成果を蓄積し、SapphireまたはSiCに基づく高品質AlN/AlGaN単層及び多層の全構造エピシートを発売しました。深紫外関連の研究と産業化を助けることを目的としています。

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豊富なエピ基板

平面サファイア（FSS）、ナノグラフィックスサファイア（NPSS）またはSiC…

エピタキシャル厚さはカスタマイズ可能です。

異なった基板上で，50～500 nmの厚さを持つ高品質のAlNまたはAlGaN単分子層／多層構造を成長させた。

高アルミニウム成分エピタクシー

特にAlNまたは高Al成分AlGaN基のテンプレートまたは全構造エピタキシャルカスタマイズが得意で、最適Al成分≧0.4

多種類の光電子デバイス

成長紫外検出器、LED、HEMTなどのAlGaN基のデバイスをカスタマイズできます。

専門、専門

AlN/AlGaN基の光電子デバイスの研究開発を長期にわたって行い、高素質のエピタキシャルチームを持ち、材料の固定化成長経験が豊富である。

華中科技大学技術チームの長年の研究開発経験が蓄積されています。
チームの主要メンバーは多く973、国家重点研究開発計画に参加します。
独自に高温MOCVD装置を開発し、AlN/AlGaN材料の成長ニーズを満たす。
エピタキシャルシート材料は深い紫外UV−C−LEDによる大規模商用検証を得た。

世界一流のAlN/AlGaNエピテンプレート

10年間の高温MOCVDエピタキシャル成長経験のおかげで、特にAlN及びAl成分が0.4以上のAlGaNのエピタキシャル成長及びn型ドーピングが得意である。

AlNテンプレート

2インチ、XRD(002/102) ≦180/400 arcsec、厚さ均一性(5%)、AFM RMS(<1 nm)、厚さ1~3 um調整可能です。

AlGaNテンプレート

Alは高品質AlNテンプレートに基づいてその場成長した。xGa1-xNテンプレート、Al成分は0.4~1調整可能で、n型ドーピング活性化濃度≧3 e 18 cm-3

製品の種類 製品の種類 商品の特徴 結晶品質(002) 結晶品質(102) エピ層の厚さ 表面粗さ エッジ控除 仕様書
WAlN-SA400 Sapphire/AlNエピ/テンプレート SA400 ≤ 80 arcsec ≤ 400 arcsec 2~3 μm ≤ 1 nm ≤ 3 mm 仕様書は画像をダウンロードします。
WAlN-NS400 NPSS/AlNエピシート/テンプレート NS400 ≤ 200 arcsec ≤ 200 arcsec ≥ 5 μm ≤ 1 nm ≤ 3 mm 仕様書は画像をダウンロードします。
WAlN-SC001 SiC/AlNエピシート/テンプレート SC001 50~5000 nm 仕様書は画像をダウンロードします。
WAGN-AN001 AlGaNエピシート/テンプレート AN001 ≤ 300 arcsec ≤ 500 arcsec 1~2 μm ≤ 2 nm ≤ 3 mm 仕様書は画像をダウンロードします。

高性能Detector、LED、HEMTの全構造エピプレートカスタマイズ

高品質のAlNとAlGaN材料の成長技術に基づいて、深紫科学技術科は定化紫外検出器、LED及びHEMTエピタキシャル成長サービスを提供します。

紫外線探知機

専門的なPIN、APD、量子井戸などの構造のAlGaN基紫外検出器の全構造の研究開発、量産。長年の紫外線探知機の定着サービス経験、国内外の多くの有名な研究機関、企業にサービスを提供しています。標準納期は一ヶ月で、大量のチップ代行サービスを提供しています。

深紫外UV-C-LED

科学研究の用途に向けたUV-LED上流のエピタキシャルフィルム資源は、科学研究機関が商用のUV-LEDエピシートをNano/Micro-EDの先端研究に用いることをサポートしています。2インチ、波長270~280 nm、3030チップ120 mA下8~12 mW、測定電圧10 V

HEMT

高度にカスタマイズされたHEMTエピ研究開発、中試サービス業者は、顧客構造によってカスタマイズ成長します。典型的な方抵抗275Ω/□、二次元電子ガス1.2 e 13 cm-3移動度1900 cm2/Vs

専門家です。

我が社のエピタキシャルチームが成長した全構造材料は、デバイスを作成した後、民生生活、工業応用、空間探査の各方面に進出しました。

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